據(jù)統(tǒng)計(jì)2022年功率晶體管銷售額增長(zhǎng)11%，將達(dá)到245億美元

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2022-10-14 12:53:55 1

電子工程專輯訊進(jìn)入2022年以來，芯片市場(chǎng)的供需緊張關(guān)系在逐季緩解，但依舊面臨需求分化加劇，比如消費(fèi)級(jí)芯片需求的萎縮迫使渠道商清理庫存，而汽車電子、工控等功率半導(dǎo)體的供應(yīng)需求仍然緊張。

還比如硅基MOSFET(低壓為主)功率器件價(jià)格呈現(xiàn)明顯下降趨勢(shì)，而IGBT模塊、SiC器件等產(chǎn)品受新能源市場(chǎng)高需求提振，整體價(jià)格表現(xiàn)較為強(qiáng)勢(shì)。

根據(jù)IC Insights發(fā)布最新報(bào)告指出，由于供應(yīng)緊張、器件短缺正在推動(dòng)功率晶體管的平均售價(jià)達(dá)到 2010 年以來的最高百分比。2022年功率晶體管的銷售額有望增長(zhǎng)11%，預(yù)計(jì)達(dá)到245億美元。

如下圖顯示，功率晶體管市場(chǎng)預(yù)計(jì)將在 2024 年開始另一個(gè)增長(zhǎng)周期，到 2026 年，年銷售額將穩(wěn)步增長(zhǎng)，達(dá)到 289 億美元，復(fù)合年增長(zhǎng)率 (CAGR) 有望達(dá)到 5.5%。

功率半導(dǎo)體大致可以分為功率半導(dǎo)體分立器件(Power Discrete，包括功率模塊)和功率半導(dǎo)體集成電路(Power IC)兩大類，晶體管屬于功率分立器件其中的一種，包括金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)。

在2019年下半年進(jìn)口IGBT就出現(xiàn)缺貨現(xiàn)象，MOSFET也在2020年初伴隨著新冠肺炎暴發(fā)進(jìn)入缺貨周期。

自2021年以來，功率晶體管的價(jià)格一路走高，國內(nèi)功率半導(dǎo)體廠商士蘭微發(fā)布包括 MOS 類、IGBT、SBD、FRD等部分產(chǎn)品品類的*通知;捷捷微電也對(duì)VDMOS、TRENCH MOS部分產(chǎn)品進(jìn)行了*;長(zhǎng)晶科技也宣布對(duì)全系列產(chǎn)品*，上漲幅度約為10%-20%。

比亞迪半導(dǎo)體也對(duì)IPM、IGBT單管產(chǎn)品進(jìn)行價(jià)格調(diào)整，提漲幅度不低于5%。

英飛凌、意法半導(dǎo)體、安森美、安世半導(dǎo)體等頭部的功率半導(dǎo)體大廠也是對(duì)產(chǎn)品的價(jià)格上調(diào)10-15%。當(dāng)時(shí)部分進(jìn)口產(chǎn)品的交期長(zhǎng)達(dá)52周，國產(chǎn)產(chǎn)品的交期也是長(zhǎng)達(dá)三個(gè)月。

高度的產(chǎn)能擴(kuò)張瓶頸和價(jià)格上調(diào)，推高了功率晶體管的平均售價(jià)， 2021年功率晶體管的單位出貨量增長(zhǎng)13%，銷售額增長(zhǎng)了26%。

IC Insights指出，功率晶體管的平均銷售價(jià)格(ASP) 在 2021 年增長(zhǎng) 8% 之后，預(yù)計(jì) 2022 年將增長(zhǎng) 11%。這是自 2007-2008 年金融危機(jī)引發(fā)的 2009 年經(jīng)濟(jì)衰退以來，2010 年復(fù)蘇年以來的最高百分比增幅。

不過，由于明年全球經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)放緩以及全球平均售價(jià)下降 4%，功率晶體管的一系列創(chuàng)紀(jì)錄銷售預(yù)計(jì)將在 2023 年結(jié)束，屆時(shí)收入預(yù)計(jì)將下降 2% 至 240 億美元。

TrendForce資料顯示，以MOSFET、IGBT等功率晶體管為主流產(chǎn)品的power discrete，受到5G基礎(chǔ)建設(shè)、消費(fèi)性快充、車用電子、電動(dòng)車等產(chǎn)品單位功率元件消耗量增加而需求急速增長(zhǎng)。整體市場(chǎng)長(zhǎng)期由國際IDM廠主導(dǎo)，如英飛凌(Infineon)、安森美(On Semi)、意法半導(dǎo)體(STM)等，全球IDM廠囊括約80~90%市占，F(xiàn)abless則占約10~20%。

國內(nèi)功率半導(dǎo)體的晶圓廠也在積極投建，華潤(rùn)微電子將投資約100億元在重慶西永微電園建設(shè)12英寸晶圓生產(chǎn)線，主要生產(chǎn)MOSFET、IGBT、電源管理芯片等功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。

2021年士蘭微根據(jù)《投資合作協(xié)議》，士蘭集科啟動(dòng)了*條12吋芯片生產(chǎn)線“新增年產(chǎn)24萬片12英寸高壓集成電路和功率器件芯片技術(shù)提升及擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目”，該項(xiàng)目總投資為20億元，實(shí)施周期為2年。

新能源汽車的發(fā)展也推動(dòng)了功率器件需求的提高，據(jù)測(cè)算，新能源汽車中功率半導(dǎo)體器件的價(jià)值量約為傳統(tǒng)燃油車的5倍以上，其中，IGBT約占新能源汽車電控系統(tǒng)成本的37%，是電控系統(tǒng)中核心的電子器件之一。

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